Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 다이오드 정류기-단일 > DNA30E2200PC-TUB
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1387813DNA30E2200PC-TUB 이미지IXYS

DNA30E2200PC-TUB

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
50+
$3.945
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    DNA30E2200PC-TUB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Standard
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    30A
  • 전압 - 파괴
    TO-263 (D²Pak)
  • 연속
    -
  • RoHS 상태
    Tube
  • 역 회복 시간 (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • 만약, F @ 저항
    7pF @ 700V, 1MHz
  • 편광
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 부품 번호
    DNA30E2200PC-TUB
  • 확장 설명
    Diode Standard 2200V (2.2kV) 30A Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • 다이오드 구성
    40µA @ 2200V
  • 기술
    DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    1.26V @ 30A
  • 전류 - 평균 정류 (Io) (다이오드 당)
    2200V (2.2kV)
  • VR, F @ 용량
    -55°C ~ 175°C
BAT43WS-E3-18

BAT43WS-E3-18

기술: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
DNA30E2200PZ

DNA30E2200PZ

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

제조업체: IXYS Corporation
유품
S42140TS

S42140TS

기술: RECTIFIER

제조업체: Microsemi
유품
DNA30EM2200PZ

DNA30EM2200PZ

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

제조업체: IXYS Corporation
유품
VS-ETU1506S-M3

VS-ETU1506S-M3

기술: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
SRT110HR0G

SRT110HR0G

기술: DIODE SCHOTTKY 100V 1A TS-1

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
DNA30E2200PC

DNA30E2200PC

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

제조업체: IXYS Corporation
유품
RB058LAM-60TFTR

RB058LAM-60TFTR

기술: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품
VS-15ETH06-1PBF

VS-15ETH06-1PBF

기술: DIODE HYPER 15A 600V TO-262

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4PAC

제조업체: IXYS
유품
31DF4 B0G

31DF4 B0G

기술: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
R6100825XXYZ

R6100825XXYZ

기술: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

제조업체: Powerex, Inc.
유품
DNA30EM2200PC

DNA30EM2200PC

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263

제조업체: IXYS Corporation
유품
R6031035ESYA

R6031035ESYA

기술: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

제조업체: Powerex, Inc.
유품
VS-16FLR20S02

VS-16FLR20S02

기술: DIODE GEN PURP 200V 16A DO203AA

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
SF12GHR1G

SF12GHR1G

기술: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
DNA30E2200PA

DNA30E2200PA

기술: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO220AC

제조업체: IXYS
유품
STTH1210DY

STTH1210DY

기술: DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC

제조업체: STMicroelectronics
유품
1N4942GP-M3/54

1N4942GP-M3/54

기술: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
유품
SCS210AGHRC

SCS210AGHRC

기술: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO-220-2

제조업체: LAPIS Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오