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FBE22-06N1

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유품
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10+
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25+
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100+
$5.75
250+
$5.284
500+
$4.817
1000+
$4.196
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규격
  • 제품 모델
    FBE22-06N1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    RECT BRIDGE FAST SGL I4-PAC-5
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • ECAD 모델
  • 전압 - 피크 역 (최대)
    Single Phase
  • 전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우
    20A
  • 전압 - 파괴
    ISOPLUS i4-PAC™
  • 과학 기술
    Standard
  • 연속
    HiPerFRED²™
  • RoHS 상태
    Tube
  • 편광
    i4-Pac™-5
  • 다른 이름들
    FBE2206N1
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    FBE22-06N1
  • 확장 설명
    Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
  • 다이오드 구성
    60µA @ 600V
  • 기술
    RECT BRIDGE FAST SGL I4-PAC-5
  • 전류 - 누설 Vr에서 역방향
    2.13V @ 11A
  • 전류 - 평균 정류 (Io)
    600V
GBU6K-M3/45

GBU6K-M3/45

기술: BRIDGE RECT GPP 6A 800V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GBPC1502

GBPC1502

기술: RECT BRIDGE GPP 15A 200V GBPC

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
SBR4

SBR4

기술: BRIDGE RECT 1.5A 400V

제조업체: Semtech
유품
GBU4K-M3/51

GBU4K-M3/51

기술: BRIDGE RECT GPP 4A 800V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
TS15P05G D2G

TS15P05G D2G

기술: BRIDGE RECT 1P 600V 15A TS-6P

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
GBL04

GBL04

기술: DIODE BRIDGE 400V 4A GBL

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GBPC3506WTA

GBPC3506WTA

기술: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-W

제조업체: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
유품
GSIB1560N-M3/45

GSIB1560N-M3/45

기술: BRIDGE RECT 15A 600V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
DBL158G C1G

DBL158G C1G

기술: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 1.5A DBL

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
GSIB1520-E3/45

GSIB1520-E3/45

기술: DIODE 15A 200V GSIB-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GBU6A-E3/45

GBU6A-E3/45

기술: DIODE GPP 6A 50V GPP INLINE 4SIP

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
FBE.4E.675.CTA

FBE.4E.675.CTA

기술: CONN PNL MNT

제조업체: LEMO
유품
BU12065S-M3/45

BU12065S-M3/45

기술: RECTIFIER BRIDGE 600V 12A BU-5S

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
GBU6M-BP

GBU6M-BP

기술: RECT BRIDGE GPP 6A 1000V GBU

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품
VUO18-12DT8

VUO18-12DT8

기술: RECT BRIDGE 18A 1200V FO-B

제조업체: IXYS Corporation
유품
GBU6M-M3/51

GBU6M-M3/51

기술: BRIDGE RECT GPP 6A 1000V GBU

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
TS40P07G C2G

TS40P07G C2G

기술: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 40A TS-6P

제조업체: TSC (Taiwan Semiconductor)
유품
DFB2520

DFB2520

기술: BRIDGE RECT 200V 25A TS-6P

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BR305

BR305

기술: DIODE BRIDGE 50V 3A BR-3

제조업체: GeneSiC Semiconductor
유품
GBJ2006-BP

GBJ2006-BP

기술: BRIDGE RECT 20A 600V GBJ

제조업체: Micro Commercial Components (MCC)
유품

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