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180602IXBP5N160G 이미지IXYS Corporation

IXBP5N160G

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유품
50+
$4.701
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXBP5N160G
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXBP5N160G.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    7.2V @ 15V, 3A
  • 시험 조건
    960V, 3A, 47 Ohm, 10V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    -
  • 에너지 전환
    -
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247AD
  • 연속
    BIMOSFET™
  • 전력 - 최대
    68W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-220-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    32 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • 게이트 충전
    26nC
  • 상세 설명
    IGBT 1600V 5.7A 68W Through Hole TO-247AD
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    5.7A

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IXBR42N170

IXBR42N170

기술: IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT20N360HV

IXBT20N360HV

기술: IGBT 3600V 70A TO-268HV

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT16N170AHV

IXBT16N170AHV

기술: IGBT

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT20N300HV

IXBT20N300HV

기술: IGBT 3000V 50A 250W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-12

IXBOD2-12

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-11

IXBOD2-11

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT12N300HV

IXBT12N300HV

기술: IGBT 3000V 30A 160W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-07

IXBOD2-07

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-10

IXBOD2-10

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-13

IXBOD2-13

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-15R

IXBOD2-15R

기술: THYRISTOR RADIAL

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT10N170

IXBT10N170

기술: IGBT 1700V 20A 140W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT20N300

IXBT20N300

기술: IGBT 3000V 50A 250W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT12N300

IXBT12N300

기술: IGBT 3000V 30A 160W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-56R

IXBOD2-56R

기술: THYRISTOR RADIAL

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT16N170A

IXBT16N170A

기술: IGBT 1700V 16A 150W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-09

IXBOD2-09

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-50R

IXBOD2-50R

기술: THYRISTOR RADIAL

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBT24N170

IXBT24N170

기술: IGBT 1700V 60A 250W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXBOD2-08

IXBOD2-08

기술: BREAKOVER DIODE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
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