Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 집적회로 (ic) > 마이크-게이트 드라이버 > IXD611S1T/R
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3452341

IXD611S1T/R

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXD611S1T/R
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXD611S1T/R.pdf
  • 전압 - 공급
    10 V ~ 35 V
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    28ns, 18ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 입력 주파수
    2
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 논리 전압 - VIL, VIH
    2.4V, 2.7V
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    600V
  • 게이트 유형
    IGBT, N-Channel MOSFET
  • 구동 구성
    Half-Bridge
  • 상세 설명
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
  • 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
    600mA, 600mA
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Independent
  • 기본 부품 번호
    IX*611

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "IXD611S1T/R"관련 제품입니다.
IXD5120N182NR-G

IXD5120N182NR-G

기술: IC VOLT DETECTOR 1.8V OD 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXDD404SIA

IXDD404SIA

기술: IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120C302NR-G

IXD5120C302NR-G

기술: IC VOLT DETECT 3.0V CMOS 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXDD404PI

IXDD404PI

기술: IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120N152NR-G

IXD5120N152NR-G

기술: IC VOLT DETECTOR 1.5V OD 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXDA20N120AS-TUBE

IXDA20N120AS-TUBE

기술: IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXDA20N120AS

IXDA20N120AS

기술: IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXDA20N120AS-TUB

IXDA20N120AS-TUB

기술: IGBT

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD611S1

IXD611S1

기술: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8-SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120C182NR-G

IXD5120C182NR-G

기술: IC VOLT DETECT 1.8V CMOS 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXDD404SI-16

IXDD404SI-16

기술: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXDD404SIA-16

IXDD404SIA-16

기술: IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD611P7

IXD611P7

기술: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14-PDI

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120C252NR-G

IXD5120C252NR-G

기술: IC VOLT DETECT 2.5V CMOS 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXD611S7T/R

IXD611S7T/R

기술: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120N252NR-G

IXD5120N252NR-G

기술: IC VOLT DETECTOR 2.5V OD 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
IXD611S7

IXD611S7

기술: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXDD404SI

IXDD404SI

기술: IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD611P1

IXD611P1

기술: IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 8DIP

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXD5120N302NR-G

IXD5120N302NR-G

기술: IC VOLT DETECTOR 3.0V OD 24SSOT

제조업체: Zilog
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.