Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > IXEH40N120
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2344846IXEH40N120 이미지IXYS Corporation

IXEH40N120

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXEH40N120
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXEH40N120.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    3V @ 15V, 40A
  • 시험 조건
    600V, 40A, 39 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    -
  • 에너지 전환
    6.1mJ (on), 3mJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247AD
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    300W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3 Full Pack
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT
  • 게이트 충전
    150nC
  • 상세 설명
    IGBT NPT 1200V 60A 300W Through Hole TO-247AD
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    60A

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "IXEH40N120"관련 제품입니다.
IXGX35N120CD1

IXGX35N120CD1

기술: IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXEH40N120D1

IXEH40N120D1

기술: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
STGB6NC60HDT4

STGB6NC60HDT4

기술: IGBT 600V 15A 56W D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGW50HF60S

STGW50HF60S

기술: IGBT 600V 110A 284W TO247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGW15H120F2

STGW15H120F2

기술: IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
STGW35NB60SD

STGW35NB60SD

기술: IGBT 600V 70A 200W TO247

제조업체: STMicroelectronics
유품
RFQ
IXEN60N120

IXEN60N120

기술: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXE611S1T/R

IXE611S1T/R

기술: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXEL40N400

IXEL40N400

기술: IGBT 4000V 90A 380W ISOPLUSI5

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
APT20GT60BRDQ1G

APT20GT60BRDQ1G

기술: IGBT 600V 43A 174W TO247

제조업체: Microsemi
유품
RFQ
ISL9V2040P3

ISL9V2040P3

기술: IGBT 430V 10A 130W TO220AB

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
RFQ
IXE611P1

IXE611P1

기술: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXER35N120D1

IXER35N120D1

기술: IGBT 1200V 50A 200W TO247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXEH25N120D1

IXEH25N120D1

기술: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXEN60N120D1

IXEN60N120D1

기술: IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXEH25N120

IXEH25N120

기술: IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXE611S1

IXE611S1

기술: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
AUIRGS30B60K

AUIRGS30B60K

기술: IGBT 600V 78A 370W D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IXER60N120

IXER60N120

기술: IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IKW40N65H5FKSA1

IKW40N65H5FKSA1

기술: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.