Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXFB50N80Q2
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
126093IXFB50N80Q2 이미지IXYS Corporation

IXFB50N80Q2

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
25+
$36.187
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXFB50N80Q2
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5.5V @ 8mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PLUS264™
  • 연속
    HiPerFET™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    160 mOhm @ 500mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1135W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-264-3, TO-264AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    14 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7200pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    800V
  • 상세 설명
    N-Channel 800V 50A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole PLUS264™
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    50A (Tc)
IXFB210N30P3

IXFB210N30P3

기술: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB40N110P

IXFB40N110P

기술: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB30N120P

IXFB30N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB40N110Q3

IXFB40N110Q3

기술: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB210N20P

IXFB210N20P

기술: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB30N120Q2

IXFB30N120Q2

기술: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFC10N80P

IXFC10N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB90N85X

IXFB90N85X

기술: 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB300N10P

IXFB300N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB72N55Q2

IXFB72N55Q2

기술: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB62N80Q3

IXFB62N80Q3

기술: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB80N50Q2

IXFB80N50Q2

기술: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB60N80P

IXFB60N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB70N60Q2

IXFB70N60Q2

기술: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB38N100Q2

IXFB38N100Q2

기술: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB52N90P

IXFB52N90P

기술: MOSFET N-CH TO-264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB82N60Q3

IXFB82N60Q3

기술: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB44N100P

IXFB44N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB44N100Q3

IXFB44N100Q3

기술: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFB82N60P

IXFB82N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오