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326836IXFH12N120P 이미지IXYS Corporation

IXFH12N120P

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유품
30+
$11.318
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규격
  • 제품 모델
    IXFH12N120P
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXFH12N120P.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247AD (IXFH)
  • 연속
    HiPerFET™, PolarP2™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.35 Ohm @ 500mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    543W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    5400pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    103nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1200V
  • 상세 설명
    N-Channel 1200V 12A (Tc) 543W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    12A (Tc)

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IXFH12N120

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IXFH120N25T

IXFH120N25T

기술: MOSFET N-CH 250V 120A TO-247

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IXFH12N100F

IXFH12N100F

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD

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IXFH13N90

IXFH13N90

기술: MOSFET N-CH 900V 13A TO-247

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IXFH13N80Q

IXFH13N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247

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IXFH12N80P

IXFH12N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

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IXFH13N50

IXFH13N50

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IXFH13N100

IXFH13N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247

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IXFH120N20P

IXFH120N20P

기술: MOSFET N-CH 200V 120A TO-247

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IXFH130N15X3

IXFH130N15X3

기술: MOSFET N-CH

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IXFH12N90

IXFH12N90

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IXFH12N100

IXFH12N100

기술: MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD

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IXFH12N100P

IXFH12N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

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IXFH12N50F

IXFH12N50F

기술: MOSFET N-CH 500V 12A TO247

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IXFH12N90P

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기술: MOSFET N-CH 900V 12A TO-247

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IXFH120N25X3

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기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD

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IXFH120N15P

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기술: 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

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