Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXFH23N60Q

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

602587

IXYS Corporation

IXFH23N60Q

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

온라인 문의

규격

제품 모델

IXFH23N60Q
제조업체 / 브랜드

IXYS / Littelfuse
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IXFH23N60Q.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.5V @ 4mA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-247AD (IXFH)
연속

HiPerFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

320 mOhm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대)

400W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-247-3
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3300pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

600V
상세 설명

N-Channel 600V 23A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

관련 뉴스
배송
지불 방법

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

배송

지불

다음은 "IXFH23N60Q"관련 제품입니다.

IXFH220N20X3

기술: 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH22N60P3

기술: MOSFET N-CH 600V 22A TO247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH26N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH220N06T3

기술: 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH230N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 230A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH24N60X

기술: MOSFET N-CH 600V 24A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH24N90P

기술: MOSFET N-CH TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH26N50

기술: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH230N075T2

기술: MOSFET N-CH 75V 230A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH22N55

기술: MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH23N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V 23A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH26N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH22N65X2

기술: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH22N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH22N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 22A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH26N50P3

기술: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH24N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH24N50

기술: MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH21N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFH24N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 24A TO-247

제조업체: IXYS Corporation

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 소식 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.