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751820IXFN20N120 이미지IXYS Corporation

IXFN20N120

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유품
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$26.733
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규격
  • 제품 모델
    IXFN20N120
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 8mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-227B
  • 연속
    HiPerFET™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    750 mOhm @ 500mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    780W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7400pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1200V
  • 상세 설명
    N-Channel 1200V 20A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    20A (Tc)
IXFN230N20T

IXFN230N20T

기술: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN180N20

IXFN180N20

기술: MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN210N30X3

IXFN210N30X3

기술: FET N-CHANNEL

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN20N120P

IXFN20N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN23N100

IXFN23N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN230N10

IXFN230N10

기술: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN170N65X2

IXFN170N65X2

기술: MOSFET N-CH

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN21N100Q

IXFN21N100Q

기술: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN210N20P

IXFN210N20P

기술: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN180N25T

IXFN180N25T

기술: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN180N07

IXFN180N07

기술: MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN200N07

IXFN200N07

기술: MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN170N30P

IXFN170N30P

기술: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN210N30P3

IXFN210N30P3

기술: MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN170N25X3

IXFN170N25X3

기술: MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN200N10P

IXFN200N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

제조업체: IXYS
유품
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

기술: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN180N10

IXFN180N10

기술: MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN220N20X3

IXFN220N20X3

기술: 200V/160A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFN180N15P

IXFN180N15P

기술: MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품

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