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507276IXFN26N100P 이미지IXYS Corporation

IXFN26N100P

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유품
10+
$38.406
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXFN26N100P
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXFN26N100P.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    SOT-227B
  • 연속
    Polar™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    390 mOhm @ 13A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    595W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    11900pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    1000V
  • 상세 설명
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    23A (Tc)

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IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

기술: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

기술: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

기술: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

기술: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

기술: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

기술: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

기술: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

기술: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

기술: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

기술: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

기술: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

제조업체: IXYS RF
유품
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

기술: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

기술: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

기술: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

기술: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
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