Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXFN32N80P
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
98512IXFN32N80P 이미지IXYS

IXFN32N80P

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
10+
$20.391
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXFN32N80P
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXFN32N80P.pdf
  • 전압 - 테스트
    8820pF @ 25V
  • 전압 - 파괴
    SOT-227B
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    270 mOhm @ 16A, 10V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 연속
    PolarHV™
  • RoHS 상태
    Tube
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    29A
  • 편광
    SOT-227-4, miniBLOC
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Chassis Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    8 Weeks
  • 제조업체 부품 번호
    IXFN32N80P
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    150nC @ 10V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    5V @ 8mA
  • FET 특징
    N-Channel
  • 확장 설명
    N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    -
  • 기술
    MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    800V
  • 용량 비율
    625W (Tc)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "IXFN32N80P"관련 제품입니다.
IXFN30N120P

IXFN30N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

기술: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

기술: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

기술: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

기술: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

기술: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

기술: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN360N10T

IXFN360N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

기술: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

기술: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

기술: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

기술: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

기술: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

기술: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

기술: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.