Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXFT120N15P
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
3422865IXFT120N15P 이미지IXYS Corporation

IXFT120N15P

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
30+
$7.12
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXFT120N15P
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 4mA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-268
  • 연속
    PolarHT™ HiPerFET™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    16 mOhm @ 500mA, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    600W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4900pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    150nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    150V
  • 상세 설명
    N-Channel 150V 120A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TO-268
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    120A (Tc)
IXFT140N10P

IXFT140N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT12N100Q

IXFT12N100Q

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT12N100F

IXFT12N100F

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

제조업체: IXYS RF
유품
IXFR80N60P3

IXFR80N60P3

기술: MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR90N20Q

IXFR90N20Q

기술: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT120N25X3HV

IXFT120N25X3HV

기술: 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR80N50P

IXFR80N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR80N20Q

IXFR80N20Q

기술: MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT13N80Q

IXFT13N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V 13A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT10N100

IXFT10N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR9N80Q

IXFR9N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR90N20

IXFR90N20

기술: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT12N100

IXFT12N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR80N50Q3

IXFR80N50Q3

기술: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT12N90Q

IXFT12N90Q

기술: MOSFET N-CH 900V 12A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT120N30X3HV

IXFT120N30X3HV

기술: 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT140N20X3HV

IXFT140N20X3HV

기술: 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT100N30X3HV

IXFT100N30X3HV

기술: 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFT13N100

IXFT13N100

기술: MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXFR90N30

IXFR90N30

기술: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오