IXFT30N85XHV

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제품 모델

IXFT30N85XHV
제조업체 / 브랜드

IXYS / Littelfuse
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 850V 30A TO268
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IXFT30N85XHV.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5.5V @ 2.5mA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-268 (IXFT)
연속

HiPerFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

220 mOhm @ 500mA, 10V
전력 소비 (최대)

695W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

24 Weeks
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2460pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

850V
상세 설명

N-Channel 850V 30A (Tc) 695W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

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