Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

*회사명
*이름
*제목

*이메일 주소
*전화 번호

*국가
*접촉 창
*이벤트 날짜

*메시지

Electronica 2024의 방문자

당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.

집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXFX32N50

RFQs/주문 (0)

한국의

한국의

6157966

IXYS Corporation

IXFX32N50

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

온라인 문의

규격

제품 모델

IXFX32N50
제조업체 / 브랜드

IXYS / Littelfuse
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IXFX32N50.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 4mA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PLUS247™-3
연속

HiPerFET™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

150 mOhm @ 15A, 10V
전력 소비 (최대)

360W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-247-3
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5450pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

500V
상세 설명

N-Channel 500V 32A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

관련 뉴스
배송
지불 방법

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025년1월26일

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025년1월13일

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024년12월31일

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024년12월23일

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024년12월12일

Microchip은 500 건의 해고를 발표했으며 구조 조정 비용은 3,8...

2024년12월4일

Quanta : AI 수요는 꾸준한 명령 스트림으로 계속 강력합니다.

2024년12월3일

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024년12월2일

삼성은 3D NAND 생산에서 Photoresist 사용을 크게 줄여 공급 ...

2024년12월2일

Vishay는 인수 된 NWF 웨이퍼 팹에 5,100 만 파운드를 투자 할 ...

2024년11월29일

트럼프의 관세 위협, Nvidia, Intel 공급 업체는 멕시코 계획을...

2024년11월28일

Intel은 미국 칩 법에 따라 7,800 억 달러의 보조금을 받고 110...

2024년11월27일

배송

지불

다음은 "IXFX32N50"관련 제품입니다.

IXFX420N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N90P

기술: MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX360N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX30N110P

기술: MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX30N50

IXFX30N50

기술: MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N80Q3

기술: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX30N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX38N80Q2

기술: MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX40N90P

기술: MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS

유품

IXFX27N80Q

기술: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS 247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N48Q

IXFX32N48Q

기술: MOSFET N-CH PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX360N15T2

기술: MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX30N100Q2

기술: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX320N17T2

기술: MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX300N20X3

기술: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX34N80

기술: MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

IXFX32N100Q3

기술: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

제조업체: IXYS Corporation

유품

우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.

팔로우

이용 약관 침해 정책 조회를 요청하다 우리에 대해 문의하기 소식 사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.