Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-이그bts-단일 > IXST30N60B
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1903392IXST30N60B 이미지IXYS Corporation

IXST30N60B

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXST30N60B
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 600V 55A 200W TO268
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXST30N60B.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    600V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 30A
  • 시험 조건
    480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    30ns/150ns
  • 에너지 전환
    1.5mJ (off)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-268
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    200W
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    PT
  • 게이트 충전
    100nC
  • 상세 설명
    IGBT PT 600V 55A 200W Surface Mount TO-268
  • 전류 - 콜렉터 펄스 (ICM)
    110A
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    55A
  • 기본 부품 번호
    IXS*30N60

Anthropic은 아마존으로부터 40 억 달러의 투자를 더받으며, 두...

2024년11월23일

Semi : IC 판매량은 3 분기에 12% 증가하고, 성장은 Q4로 ...

2024년11월22일

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "IXST30N60B"관련 제품입니다.
IXST40N60B2D1

IXST40N60B2D1

기술: IGBT 600V 48A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST30N60CD1

IXST30N60CD1

기술: IGBT 600V 55A 200W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSR50N60B

IXSR50N60B

기술: IGBT 600V ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST15N120BD1

IXST15N120BD1

기술: IGBT 1200V 30A 150W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSR35N120BD1

IXSR35N120BD1

기술: IGBT 1200V 70A 250W ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSX35N120BD1

IXSX35N120BD1

기술: IGBT 1200V 70A 300W PLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST24N60BD1

IXST24N60BD1

기술: IGBT 600V 48A 150W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST30N60C

IXST30N60C

기술: IGBT 600V 55A 200W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST30N60BD1

IXST30N60BD1

기술: IGBT 600V 55A 200W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST15N120B

IXST15N120B

기술: IGBT 1200V 30A 150W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST45N120B

IXST45N120B

기술: IGBT 1200V 75A 300W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST30N60B2D1

IXST30N60B2D1

기술: IGBT 600V 48A 250W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSQ20N60B2D1

IXSQ20N60B2D1

기술: IGBT 600V 35A 190W TO3P

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSX40N60BD1

IXSX40N60BD1

기술: IGBT 600V 75A 280W PLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST40N60B

IXST40N60B

기술: IGBT 600V 75A 280W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSR40N60CD1

IXSR40N60CD1

기술: IGBT 600V 62A 210W ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSR40N60BD1

IXSR40N60BD1

기술: IGBT 600V 70A 170W ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSR50N60BU1

IXSR50N60BU1

기술: IGBT 600V ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXST35N120B

IXST35N120B

기술: IGBT 1200V 70A 300W TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXSP24N60B

IXSP24N60B

기술: IGBT 600V 48A 150W TO220AB

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.