Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXTD3N60P-2J
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
5906589

IXTD3N60P-2J

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXTD3N60P-2J
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 600
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5.5V @ 50µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    PolarHV™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    2.9 Ohm @ 1.5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    70W (Tc)
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    411pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    9.8nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    600V
  • 상세 설명
    N-Channel 600V 3A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount Die
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    3A (Tc)

KIOXIA는 11 월 22 일에 상장 승인을 받고 시장 가치는 50 억 ...

2024년11월21일

Tower Semiconductor의 최신 실리콘 광학 플랫폼

2024년11월20일

업계는 천천히 회복됩니다.Epitaxial 공급 업체 IQE는 중국 대...

2024년11월19일

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024년11월19일

The core value and future development trend of passive comp...

2024년11월18일

공급 업체 : 많은 RTX 50 시리즈 GPU 구성 요소가 12 월에 제공...

2024년11월18일

대만, 중국 반도체의 출력 가치는 올해 22% 증가한 $ 5.3 ...

2024년11월17일

OLED 패널 생산 확장 LG 디스플레이는 베트남에 10 억 달러를 ...

2024년11월15일

아마존

2024년11월14일

Pegatron의 Q3 순이익은 NT $ 4.296 Billion, 분기별로 23.1...

2024년11월13일

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024년11월13일

한국은 트럼프의 위협에 대항하기 위해 칩 법을 제정 할 계획입...

2024년11월13일
배송
지불
다음은 "IXTD3N60P-2J"관련 제품입니다.
IXTC75N10

IXTC75N10

기술: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTD5N100A

IXTD5N100A

기술: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTD1R4N60P 11

IXTD1R4N60P 11

기술: MOSFET N-CH 600V

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTD4N80P-3J

IXTD4N80P-3J

기술: MOSFET N-CH 800

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF02N450

IXTF02N450

기술: MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF200N10T

IXTF200N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF1R4N450

IXTF1R4N450

기술: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC62N15P

IXTC62N15P

기술: MOSFET N-CH ISOPLUS-220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF03N400

IXTF03N400

기술: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTE250N10

IXTE250N10

기술: MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC72N30T

IXTC72N30T

기술: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC250N075T

IXTC250N075T

기술: MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC280N055T

IXTC280N055T

기술: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC26N50P

IXTC26N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF1N450

IXTF1N450

기술: MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTD2N60P-1J

IXTD2N60P-1J

기술: MOSFET N-CH 600

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTC36P15P

IXTC36P15P

기술: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF230N085T

IXTF230N085T

기술: MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTF1N400

IXTF1N400

기술: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTD3N50P-2J

IXTD3N50P-2J

기술: MOSFET N-CH 500

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.