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214247IXTH200N10T 이미지IXYS Corporation

IXTH200N10T

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유품
1+
$7.27
30+
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120+
$5.383
510+
$4.51
1020+
$3.928
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXTH200N10T
  • 제조업체 / 브랜드
    IXYS / Littelfuse
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IXTH200N10T.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±30V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-247 (IXTH)
  • 연속
    TrenchMV™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5.5 mOhm @ 50A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    550W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Through Hole
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    9400pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    152nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    N-Channel 100V 200A (Tc) 550W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    200A (Tc)

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IXTH220N075T

IXTH220N075T

기술: MOSFET N-CH 75V 220A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH200N085T

IXTH200N085T

기술: MOSFET N-CH 85V 200A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH230N085T

IXTH230N085T

기술: MOSFET N-CH 85V 230A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH21N50

IXTH21N50

기술: MOSFET N-CH 500V 21A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

기술: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH22N50P

IXTH22N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH21N50Q

IXTH21N50Q

기술: MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH1N450HV

IXTH1N450HV

기술: 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH20N50D

IXTH20N50D

기술: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH1N100

IXTH1N100

기술: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH20N60

IXTH20N60

기술: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH1N300P3HV

IXTH1N300P3HV

기술: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH182N055T

IXTH182N055T

기술: MOSFET N-CH 55V 182A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH200N075T

IXTH200N075T

기술: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH20P50P

IXTH20P50P

기술: MOSFET P-CH 500V 20A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH1N200P3

IXTH1N200P3

기술: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH20N65X

IXTH20N65X

기술: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH220N055T

IXTH220N055T

기술: MOSFET N-CH 55V 220A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
RFQ
IXTH180N10T

IXTH180N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 180A TO-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
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IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV

기술: MOSFET N-CH

제조업체: IXYS Corporation
유품
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