Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXTT10P50
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4956979IXTT10P50 이미지IXYS Corporation

IXTT10P50

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1+
$15.69
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXTT10P50
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-268
  • 연속
    -
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    900 mOhm @ 5A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    300W (Tc)
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4700pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    500V
  • 상세 설명
    P-Channel 500V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    10A (Tc)
IXTT110N10L2

IXTT110N10L2

기술: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT10N100D

IXTT10N100D

기술: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT120N15P

IXTT120N15P

기술: MOSFET N-CH 150V 120A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT100N25P

IXTT100N25P

기술: MOSFET N-CH 250V 100A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR90P20P

IXTR90P20P

기술: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT12N140

IXTT12N140

기술: MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT02N450HV

IXTT02N450HV

기술: MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR36P15P

IXTR36P15P

기술: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT10P60

IXTT10P60

기술: MOSFET P-CH 600V 10A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR62N15P

IXTR62N15P

기술: MOSFET N-CH ISOPLUS-247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT10N100D2

IXTT10N100D2

기술: MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT110N10P

IXTT110N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 110A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT12N150

IXTT12N150

기술: MOSFET N-CH 1500V 12A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR48P20P

IXTR48P20P

기술: MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

기술: MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR90P10P

IXTR90P10P

기술: MOSFET P-CH 100V 57A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTR40P50P

IXTR40P50P

기술: MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT140N10P

IXTT140N10P

기술: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT140P10T

IXTT140P10T

기술: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT11P50

IXTT11P50

기술: MOSFET P-CH 500V 11A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오