Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXTT500N04T2
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
4240069IXTT500N04T2 이미지IXYS Corporation

IXTT500N04T2

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
30+
$11.08
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXTT500N04T2
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 500A TO-268
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-268
  • 연속
    TrenchT2™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.6 mOhm @ 100A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1000W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    25000pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    405nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 500A (Tc) 1000W (Tc) Surface Mount TO-268
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    500A (Tc)
IXTT52N30P

IXTT52N30P

기술: MOSFET N-CH 300V 52A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT69N30P

IXTT69N30P

기술: MOSFET N-CH 300V 69A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT68P20T

IXTT68P20T

기술: MOSFET P-CH 200V 68A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT60N10

IXTT60N10

기술: MOSFET N-CH 100V 60A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT36P10

IXTT36P10

기술: MOSFET P-CH 100V 36A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT48P20P

IXTT48P20P

기술: MOSFET P-CH 200V 48A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

기술: MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT440N04T4HV

IXTT440N04T4HV

기술: 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO-

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT60N20L2

IXTT60N20L2

기술: MOSFET N-CH 200V 60A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT36N50P

IXTT36N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT72N20

IXTT72N20

기술: MOSFET N-CH 200V 72A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT34N65X2HV

IXTT34N65X2HV

기술: MOSFET N-CH

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT40N50L2

IXTT40N50L2

기술: MOSFET N-CH 500V 40A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT50P10

IXTT50P10

기술: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT440N055T2

IXTT440N055T2

기술: MOSFET N-CH 55V 440A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT3N200P3HV

IXTT3N200P3HV

기술: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT64N25P

IXTT64N25P

기술: MOSFET N-CH 250V 64A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT6N120

IXTT6N120

기술: MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT360N055T2

IXTT360N055T2

기술: MOSFET N-CH 55V 360A TO268

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTT50P085

IXTT50P085

기술: MOSFET P-CH 85V 50A TO-268

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오