Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IXTY26P10T
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6098473

IXTY26P10T

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
70+
$2.588
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IXTY26P10T
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (최대)
    ±15V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    TO-252
  • 연속
    TrenchP™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    90 mOhm @ 13A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    150W (Tc)
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    24 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3820pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    100V
  • 상세 설명
    P-Channel 100V 26A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    26A (Tc)
IXTY3N60P

IXTY3N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY2N100P

IXTY2N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R4N120P

IXTY1R4N120P

기술: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY2N80P

IXTY2N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY3N50P

IXTY3N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 3.6A DPAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY24N15T

IXTY24N15T

기술: MOSFET N-CH 150V 24A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY2R4N50P

IXTY2R4N50P

기술: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R4N120PHV

IXTY1R4N120PHV

기술: MOSFET N-CH

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1N80P

IXTY1N80P

기술: MOSFET N-CH 800V 1A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY48P05T

IXTY48P05T

기술: MOSFET P-CH 50V 48A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY44N10T

IXTY44N10T

기술: MOSFET N-CH 100V 44A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2

기술: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY2N65X2

IXTY2N65X2

기술: MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R4N100P

IXTY1R4N100P

기술: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

기술: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY32P05T

IXTY32P05T

기술: MOSFET P-CH 50V 32A TO-252

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R4N60P

IXTY1R4N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY1R4N60P TRL

IXTY1R4N60P TRL

기술: MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품
IXTY2N60P

IXTY2N60P

기술: MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK

제조업체: IXYS Corporation
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오