IXDD614SI

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규격

제품 모델

IXDD614SI
제조업체 / 브랜드

IXYS Integrated Circuits Division
재고 수량

유품
기술

14A 8SOIC EXP MTL NON INV W/ENAB
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IXDD614SI.pdf
전압 - 공급

4.5 V ~ 35 V
제조업체 장치 패키지

8-SOIC-EP
연속

-
상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 18ns
포장

Tube
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
입력 주파수

1
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임

7 Weeks
논리 전압 - VIL, VIH

0.8V, 3V
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 유형

Non-Inverting
게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
구동 구성

Low-Side
상세 설명

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)

14A, 14A
베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)

Single

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기술: IC GATE DVR 9A NON-INV 8DFN

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