다음은 "2LS20017E42W40403NOSA1"관련 제품입니다.
기술: MODULE IGBT IHMB190-2
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: POWER MOD FULL BRIDGE SP3
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT MODULE 1700V 20A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 183A HEX
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IGBT MODULE 1700V 20A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3
제조업체: Microsemi
유품
기술: SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 120V
제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 40A
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK1
제조업체: STMicroelectronics
유품
기술: IGBT 600V 15A 25PM-AA
제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 150A HEX
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: POWER MOD 1200V 80A SOT227
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 2 MED POWER 62MM-1
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 84A
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 125V
제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
기술: SWITCH SNAP ACTION SPDT 10A 120V
제조업체: Honeywell Sensing and Productivity Solutions
유품
기술: IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
제조업체: Microsemi
유품
기술: IGBT 600V 100A 329W SOT227
제조업체: Microsemi
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