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제품 모델
94-2113
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제조업체 / 브랜드
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재고 수량
유품
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기술
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
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무연 여부 / RoHS 준수 여부
납 함유 / RoHS 비 준수
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사양서
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아이디 @ VGS (일) (최대)
3V @ 250µA
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Vgs (최대)
±16V
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과학 기술
MOSFET (Metal Oxide)
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제조업체 장치 패키지
D2PAK
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연속
HEXFET®
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이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
7 mOhm @ 60A, 10V
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전력 소비 (최대)
3.8W (Ta), 180W (Tc)
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포장
Tube
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패키지 / 케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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다른 이름들
*IRL2203NS
IRL2203NS
IRL2203NS-ND
SP001517146
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작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
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실장 형
Surface Mount
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수분 민감도 (MSL)
1 (Unlimited)
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무연 여부 / RoHS 준수 여부
Contains lead / RoHS non-compliant
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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
3290pF @ 25V
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게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
60nC @ 4.5V
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FET 유형
N-Channel
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FET 특징
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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
4.5V, 10V
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소스 전압에 드레인 (Vdss)
30V
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상세 설명
N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
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전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
116A (Tc)
