Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-양극 (bjt)-rf > BGB 540 E6327
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
2251939BGB 540 E6327 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

BGB 540 E6327

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    BGB 540 E6327
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    3.5V
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-SOT343-4
  • 연속
    -
  • 전력 - 최대
    120mW
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    SC-82A, SOT-343
  • 다른 이름들
    BGB 540 E6327-ND
    BGB540E6327
    BGB540E6327XT
    SP000013194
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 잡음 지수 (f에서 dB Typ)
    1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 이득
    16dB ~ 17.5dB
  • 주파수 - 전환
    -
  • 상세 설명
    RF Transistor NPN 3.5V 30mA 120mW Surface Mount PG-SOT343-4
  • IC에서 @ DC 전류 이득 (HFE) (최소), Vce가
    -
  • 전류 - 콜렉터 (IC) (최대)
    30mA
BGB203H1S06UM

BGB203H1S06UM

기술: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH 48VFQFN

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
TCS1200

TCS1200

기술: TRANSISTOR BIPO 55TU-1

제조업체: Microsemi
유품
BFR 93AW E6327

BFR 93AW E6327

기술: TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-323

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BGB707L7ESDE6327XTSA1

BGB707L7ESDE6327XTSA1

기술: IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
ON5089,115

ON5089,115

기술: RF IC TRANSPONDER

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BFG425W,135

BFG425W,135

기술: TRANS RF NPN 25GHZ 4.5V SOT343R

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
BFS 483 E6327

BFS 483 E6327

기술: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-363

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
1000MP

1000MP

기술: TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55FW

제조업체: Microsemi
유품
MAX2601ESA+T

MAX2601ESA+T

기술: TRANS RF NPN 900MHZ 15V 8SOIC

제조업체: Maxim Integrated
유품
NE85633-T1B-R25-A

NE85633-T1B-R25-A

기술: RF TRANSISTOR NPN SOT-23

제조업체: CEL (California Eastern Laboratories)
유품
MPSH11

MPSH11

기술: TRANSISTOR RF NPN TO-92

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BGB719N7ESDE6327XTMA1

BGB719N7ESDE6327XTMA1

기술: IC RF AMP FM 10MHZ-1GHZ TSNP7-6

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BGB741L7ESDE6327XTSA1

BGB741L7ESDE6327XTSA1

기술: IC AMP CELL 50MHZ-5.5GHZ TSLP7-1

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
FMMT918TC

FMMT918TC

기술: TRANSISTOR RF NPN SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
유품
61074

61074

기술: RF POWER TRANSISTOR

제조업체: Microsemi
유품
BFU520XRVL

BFU520XRVL

기술: TRANS RF NPN 12V 30MA SOT-143R

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale
유품
MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

기술: TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23

제조업체: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
유품
BGB717L7ESDE6327XTSA1

BGB717L7ESDE6327XTSA1

기술: IC AMP FM 76MHZ-108MHZ TSLP7-1

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
BGB 420 E6327

BGB 420 E6327

기술: IC AMP 802.15 100MHZ-3GHZ SOT343

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
CM5160

CM5160

기술: TRANS PNP 60V 0.4A TO39

제조업체: Central Semiconductor
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오