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270295BSC019N04NSGATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC019N04NSGATMA1

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유품
1+
$1.76
10+
$1.561
100+
$1.234
500+
$0.957
1000+
$0.755
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규격
  • 제품 모델
    BSC019N04NSGATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    BSC019N04NSGATMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 85µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TDSON-8
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    1.9 mOhm @ 50A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerTDFN
  • 다른 이름들
    BSC019N04NS GCT
    BSC019N04NS GCT-ND
    BSC019N04NSGATMA1CT
    BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    8800pF @ 20V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    108nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Ta), 100A (Tc)

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BSC022N03SG

BSC022N03SG

기술: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

기술: DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

기술: DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

기술: LV POWER MOS

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC024NE2LSATMA1

BSC024NE2LSATMA1

기술: MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC022N03S

BSC022N03S

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

기술: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC024N025S G

BSC024N025S G

기술: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

기술: DIFFERENTIATED MOSFETS

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
BSC020N025S G

BSC020N025S G

기술: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
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