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BSO615NGHUMA1 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSO615NGHUMA1

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유품

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규격

제품 모델

BSO615NGHUMA1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

BSO615NGHUMA1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 20µA
제조업체 장치 패키지

PG-DSO-8
연속

SIPMOS®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
전력 - 최대

2W
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
다른 이름들

BSO615N G
BSO615N G-ND
BSO615NG
BSO615NGHUMA1TR
BSO615NGINTR-ND
BSO615NGT
BSO615NGXT
BSO615NT
BSO615NXTINTR
BSO615NXTINTR-ND
SP000216316
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Logic Level Gate
소스 전압에 드레인 (Vdss)

60V
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A
기본 부품 번호

BSO615

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