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BSP296 E6433 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP296 E6433

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규격

제품 모델

BSP296 E6433
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

BSP296 E6433.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

1.8V @ 400µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PG-SOT223-4
연속

SIPMOS®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

700 mOhm @ 1.1A, 10V
전력 소비 (최대)

1.79W (Ta)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA
다른 이름들

BSP296 E6433-ND
BSP296E6433
BSP296E6433T
SP000011107
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

364pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

100V
상세 설명

N-Channel 100V 1.1A (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A (Ta)

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BSP296L6433HTMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSP225,115

기술: MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223

제조업체: Nexperia

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기술: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

BSP295H6327XTSA1

BSP295H6327XTSA1

기술: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSP250,115

기술: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

제조업체: Nexperia

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BSP250,135

기술: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223

제조업체: Nexperia

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BSP297 E6327

기술: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSP297H6327XTSA1

BSP297H6327XTSA1

기술: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

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BSP296NH6327XTSA1

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기술: MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54

제조업체: NXP Semiconductors / Freescale

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기술: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

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기술: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223

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기술: MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4

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