International Rectifier (Infineon Technologies)

FF11MR12W1M1B11BOMA1

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유품

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규격

제품 모델

FF11MR12W1M1B11BOMA1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET 2 N-CH 1200V 100A MODULE
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 준수
사양서

1.FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
2.FF11MR12W1M1B11BOMA1.pdf
ECAD 모델
아이디 @ VGS (일) (최대)

5.55V @ 40mA
제조업체 장치 패키지

Module
연속

CoolSiC™
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

11 mOhm @ 100A, 15V
전력 - 최대

20mW
포장

Tray
패키지 / 케이스

Module
다른 이름들

FF11MR12W1M1_B11
SP001602204
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Chassis Mount
수분 민감도 (MSL)

Not Applicable
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7950pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

250nC @ 15V
FET 유형

2 N-Channel (Dual)
FET 특징

Silicon Carbide (SiC)
소스 전압에 드레인 (Vdss)

1200V (1.2kV)
상세 설명

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

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다음은 "FF11MR12W1M1B11BOMA1"관련 제품입니다.

FF1400R17IP4BOSA1

기술: IGBT MODULE VCES 1200V 1400A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

FF11MR12W1M1B11BOMA1

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