FF650R17IE4DPB2BOSA1

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유품

$611.95

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규격

제품 모델

FF650R17IE4DPB2BOSA1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

IGBT MODULE VCES 1700V 650A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

FF650R17IE4DPB2BOSA1.pdf
ECAD 모델
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

1700V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)

2.45V @ 15V, 650A
제조업체 장치 패키지

Module
연속

-
패키지 / 케이스

Module
다른 이름들

FF650R17IE4DP_B2
FF650R17IE4DP_B2-ND
SP001089910
작동 온도

-40°C ~ 150°C
NTC 써미스터

Yes
실장 형

Chassis Mount
제조업체 표준 리드 타임

26 Weeks
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가

54nF @ 25V
입력

Standard
IGBT 유형

Trench Field Stop
상세 설명

IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1700V 650A Chassis Mount Module
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

5mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

650A
구성

2 Independent

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다음은 "FF650R17IE4DPB2BOSA1"관련 제품입니다.

FF600R17ME4B11BOSA1

기술: IGBT MODULE VCES 600V 600A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

FF650R17IE4DPB2BOSA1

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