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FS100R07N2E4B11BOSA1

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규격

제품 모델

FS100R07N2E4B11BOSA1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

IGBT MODULE VCES 600V 100A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
사양서

FS100R07N2E4B11BOSA1.pdf
ECAD 모델
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)

650V
VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)

1.95V @ 15V, 100A
제조업체 장치 패키지

Module
연속

-
전력 - 최대

20mW
패키지 / 케이스

Module
다른 이름들

FS100R07N2E4_B11
FS100R07N2E4_B11-ND
SP000843918
작동 온도

-40°C ~ 150°C
NTC 써미스터

Yes
실장 형

Chassis Mount
제조업체 표준 리드 타임

42 Weeks
입력 정전 용량 (CIES) @ Vce가

6.2nF @ 25V
입력

Standard
IGBT 유형

Trench Field Stop
상세 설명

IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 650V 125A 20mW Chassis Mount Module
전류 - 콜렉터 컷오프 (최대)

1mA
전류 - 콜렉터 (IC) (최대)

125A
구성

Three Phase Inverter

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다음은 "FS100R07N2E4B11BOSA1"관련 제품입니다.

FS100R07PE4BOSA1

기술: IGBT MODULE VCES 600V 100A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

유품

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