다음은 "HIGFEB1BOSA1"관련 제품입니다.
기술: IGBT MODULE 1100VDC 325A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 84A
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: PWR MOD IGBT4 1200V SOT227
제조업체: Microsemi
유품
기술: SITE LICENSE HIGIG ETH MAC ECP3
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: SITE LICENSE IP CORE HIGIG ECP2
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: MODULE IGBT STACK A-PS4-1
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IGBT MODULE 1200V 300A
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IP CORE HIGIG ETH MAC SC/SCM
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 90A E2
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IP CORE HIGIG ETH MAC ECP3 CONF
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: SITE LICENSE IP CORE HIGIG ECP2M
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: MOD IGBT LOW PWR ECONO
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
제조업체: IXYS Corporation
유품
기술: IP CORE HIGIG ETH MAC ECP2 CONF
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4
제조업체: Microsemi
유품
기술: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: IP CORE HIGIG ETH MAC ECP2M CONF
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: MODULE IGBT HYBRID PK
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
기술: SITE LIC IP CORE HIGIG SC/SCM
제조업체: Lattice Semiconductor
유품
기술: MOD IGBT MED PWR 62MM-2
제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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