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1355091IPB036N12N3GATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB036N12N3GATMA1

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유품
1000+
$3.995
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규격
  • 제품 모델
    IPB036N12N3GATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IPB036N12N3GATMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 270µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TO263-7
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    3.6 mOhm @ 100A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    300W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • 다른 이름들
    IPB036N12N3 G
    IPB036N12N3 G-ND
    IPB036N12N3 GTR
    IPB036N12N3 GTR-ND
    IPB036N12N3G
    IPB036N12N3GATMA1TR
    SP000675204
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    13800pF @ 60V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    211nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    120V
  • 상세 설명
    N-Channel 120V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    180A (Tc)

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IPB03N03LB

IPB03N03LB

기술: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

기술: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
유품
RFQ
IPB041N04NGATMA1

IPB041N04NGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB03N03LA

IPB03N03LA

기술: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

기술: MOSFET N-CH 80V TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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