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3632945IPB065N15N3GE8187ATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1

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  • 제품 모델
    IPB065N15N3GE8187ATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 270µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TO263-7
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    6.5 mOhm @ 100A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    300W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • 다른 이름들
    IPB065N15N3 G E8187
    IPB065N15N3 G E8187-ND
    IPB065N15N3 G E8187TR-ND
    IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000939336
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    7300pF @ 75V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    8V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    150V
  • 상세 설명
    N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    130A (Tc)

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IPB05N03LB

IPB05N03LB

기술: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB06N03LB

IPB06N03LB

기술: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB065N06L G

IPB065N06L G

기술: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB05N03LA

IPB05N03LA

기술: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB070N06L G

IPB070N06L G

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB06N03LA

IPB06N03LA

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
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IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

기술: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

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IPB05N03LAT

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기술: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

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