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86841IPB090N06N3GATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB090N06N3GATMA1

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유품
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규격
  • 제품 모델
    IPB090N06N3GATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IPB090N06N3GATMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 34µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D²PAK (TO-263AB)
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    9 mOhm @ 50A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    71W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    IPB090N06N3 G
    IPB090N06N3 G-ND
    IPB090N06N3 GTR-ND
    IPB090N06N3G
    IPB090N06N3GATMA1TR
    SP000398042
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    2900pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    36nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    50A (Tc)

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IPB08CN10N G

IPB08CN10N G

기술: MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB100N04S204ATMA4

IPB100N04S204ATMA4

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB080N06N G

IPB080N06N G

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB083N10N3GATMA1

IPB083N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB100N04S204ATMA1

IPB100N04S204ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB09N03LA

IPB09N03LA

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

기술: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB09N03LA G

IPB09N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB096N03LGATMA1

IPB096N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB083N15N5LFATMA1

IPB083N15N5LFATMA1

기술: MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB085N06L G

IPB085N06L G

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB09N03LAT

IPB09N03LAT

기술: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

기술: MV POWER MOS

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB08CNE8N G

IPB08CNE8N G

기술: MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB097N08N3 G

IPB097N08N3 G

기술: MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB093N04LGATMA1

IPB093N04LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
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