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211716IPB13N03LB G 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB13N03LB G

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  • 제품 모델
    IPB13N03LB G
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2V @ 20µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D²PAK (TO-263AB)
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    12.5 mOhm @ 30A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    52W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    IPB13N03LB G-ND
    IPB13N03LBGINTR
    IPB13N03LBGXT
    SP000103307
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1355pF @ 15V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    11nC @ 5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    N-Channel 30V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    30A (Tc)
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB12CN10N G

IPB12CN10N G

기술: MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB144N12N3GATMA1

IPB144N12N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB14N03LAT

IPB14N03LAT

기술: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB14N03LA G

IPB14N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB14N03LA

IPB14N03LA

기술: MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB13N03LB

IPB13N03LB

기술: MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB120N10S403ATMA1

IPB120N10S403ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB120P04P4L03ATMA1

IPB120P04P4L03ATMA1

기술: MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB160N04S203ATMA1

IPB160N04S203ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB147N03LGATMA1

IPB147N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB140N08S404ATMA1

IPB140N08S404ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB136N08N3 G

IPB136N08N3 G

기술: MOSFET N-CH 80V 45A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB123N10N3GATMA1

IPB123N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB156N22NFDATMA1

IPB156N22NFDATMA1

기술: MOSFET N-CH 220V TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB12CNE8N G

IPB12CNE8N G

기술: MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

기술: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB120P04P404ATMA1

IPB120P04P404ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

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