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2723575IPB200N15N3GATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB200N15N3GATMA1

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유품
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규격
  • 제품 모델
    IPB200N15N3GATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IPB200N15N3GATMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 90µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    D²PAK (TO-263AB)
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    20 mOhm @ 50A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    150W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    IPB200N15N3 G
    IPB200N15N3 G-ND
    IPB200N15N3 GTR
    IPB200N15N3 GTR-ND
    IPB200N15N3G
    IPB200N15N3GATMA1TR
    SP000414740
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1820pF @ 75V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    8V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    150V
  • 상세 설명
    N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    50A (Tc)

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IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180P04P403ATMA1

IPB180P04P403ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB240N04S4R9ATMA1

IPB240N04S4R9ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB260N06N3GATMA1

IPB260N06N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

기술: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180P04P4L02ATMA1

IPB180P04P4L02ATMA1

기술: MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB240N03S4LR8ATMA1

IPB240N03S4LR8ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB240N03S4LR9ATMA1

IPB240N03S4LR9ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB180N10S403ATMA1

IPB180N10S403ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB22N03S4L15ATMA1

IPB22N03S4L15ATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB25N06S3L-22

IPB25N06S3L-22

기술: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB240N04S41R0ATMA1

IPB240N04S41R0ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-7

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPB230N06L3GATMA1

IPB230N06L3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 30A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPB25N06S3-25

IPB25N06S3-25

기술: MOSFET N-CH 55V 25A D2PAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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