Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IPB80P03P405ATMA1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
6430671IPB80P03P405ATMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB80P03P405ATMA1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
1000+
$1.128
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IPB80P03P405ATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 253µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TO263-3-2
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    4.7 mOhm @ 80A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    137W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 다른 이름들
    IPB80P03P4-05
    IPB80P03P4-05-ND
    IPB80P03P405ATMA1TR
    SP000396282
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    10300pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • FET 유형
    P-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    30V
  • 상세 설명
    P-Channel 30V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    80A (Tc)
IPB90N04S402ATMA1

IPB90N04S402ATMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S407ATMA2

IPB80N06S407ATMA2

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P04P4L06ATMA1

IPB80P04P4L06ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N07S405ATMA1

IPB80N07S405ATMA1

기술: MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S4L05ATMA1

IPB80N06S4L05ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P04P407ATMA1

IPB80P04P407ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N08S406ATMA1

IPB80N08S406ATMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P03P4L07ATMA1

IPB80P03P4L07ATMA1

기술: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S4L07ATMA1

IPB80N06S4L07ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S4L05ATMA2

IPB80N06S4L05ATMA2

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB90N06S404ATMA1

IPB90N06S404ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P04P4L08ATMA1

IPB80P04P4L08ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80R290C3AATMA1

IPB80R290C3AATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P04P405ATMA1

IPB80P04P405ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P04P4L04ATMA1

IPB80P04P4L04ATMA1

기술: MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S407ATMA1

IPB80N06S407ATMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

기술: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2

기술: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPB80P03P4L04ATMA1

IPB80P03P4L04ATMA1

기술: MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오