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6107742IPD088N06N3GBTMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD088N06N3GBTMA1

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유품
1+
$1.19
10+
$1.056
100+
$0.834
500+
$0.647
1000+
$0.511
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규격
  • 제품 모델
    IPD088N06N3GBTMA1
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IPD088N06N3GBTMA1.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 34µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TO252-3
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    8.8 mOhm @ 50A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    71W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    IPD088N06N3 GCT
    IPD088N06N3 GCT-ND
    IPD088N06N3GBTMA1CT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    3900pF @ 30V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    50A (Tc)

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IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 80V 73A

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

기술: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD1-02-D-GP-M

IPD1-02-D-GP-M

기술: MINI-POWER CONNECTOR

제조업체: Samtec, Inc.
유품
RFQ
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

기술: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD1-02-D-GP-R

IPD1-02-D-GP-R

기술: MINI-POWER CONNECTOR

제조업체: Samtec, Inc.
유품
RFQ
IPD1-02-D

IPD1-02-D

기술: POWER HOUSING MINI MATE

제조업체: Samtec, Inc.
유품
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

기술: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD1-02-D-GP

IPD1-02-D-GP

기술: MINI-POWER CONNECTOR

제조업체: Samtec, Inc.
유품
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

기술: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

기술: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

기술: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

기술: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

기술: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
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