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IPG20N06S4L11AATMA1

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  • 제품 모델
    IPG20N06S4L11AATMA1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET 2N-CH 8TDSON
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.2V @ 28µA
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TDSON-8-10
  • 연속
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    11.2 mOhm @ 17A, 10V
  • 전력 - 최대
    65W
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerVDFN
  • 다른 이름들
    SP001200162
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    4020pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET 유형
    2 N-Channel (Dual)
  • FET 특징
    Logic Level Gate
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    60V
  • 상세 설명
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 65W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    20A
IPG20N06S415ATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPG20N06S2L65AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPG20N06S4L14ATMA2

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S4L26AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S415AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S415ATMA2

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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기술: MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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기술: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

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IPG20N06S3L-23

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기술: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

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IPG20N10S436AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N10S4L35AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N10S4L22ATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S4L14ATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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기술: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

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IPG20N06S4L14AATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 8TDSON

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IPG20N06S2L50ATMA1

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기술: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4

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IPG20N06S3L-35

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기술: MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

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