Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
> 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > IPLU300N04S4R8XTMA1
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1889093IPLU300N04S4R8XTMA1 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IPLU300N04S4R8XTMA1

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com

참고 가격 (미국 달러 기준)

유품
2000+
$3.179
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    IPLU300N04S4R8XTMA1
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    4V @ 230µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    H-PSOF-8-1
  • 연속
    OptiMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    0.77 mOhm @ 100A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    429W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-PowerSFN
  • 다른 이름들
    IPLU300N04S4R8XTMA1TR
    SP001063102
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    22945pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    287nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    40V
  • 상세 설명
    N-Channel 40V 300A (Tc) 429W (Tc) Surface Mount H-PSOF-8-1
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    300A (Tc)
IPLU250N04S41R7XTMA1

IPLU250N04S41R7XTMA1

기술: MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R340CFDAUMA1

IPL65R340CFDAUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R650C6SATMA1

IPL65R650C6SATMA1

기술: MOSFET N-CH 8TSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL86

IPL86

기술: PLINTH 800 X 600MM X 4"

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
IPLA32L1R0KD

IPLA32L1R0KD

기술: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IPL70R2K1CESATMA1

IPL70R2K1CESATMA1

기술: MOSFET COOLMOS 700V 8TSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL76

IPL76

기술: PLINTH 700 X 600MM X 4"

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
IPLU300N04S4R7XTMA2

IPLU300N04S4R7XTMA2

기술: MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL78

IPL78

기술: PLINTH 700 X 800MM X 4"

제조업체: Hammond Manufacturing
유품
IPL65R230C7AUMA1

IPL65R230C7AUMA1

기술: MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R725CFDAUMA1

IPL65R725CFDAUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPLA32L3R0KD

IPLA32L3R0KD

기술: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IPL65R660E6AUMA1

IPL65R660E6AUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R420E6AUMA1

IPL65R420E6AUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R310E6AUMA1

IPL65R310E6AUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPLU300N04S41R1XTMA1

IPLU300N04S41R1XTMA1

기술: MOSFET N-CH 8HSOF

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPL65R210CFDAUMA1

IPL65R210CFDAUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPLA32L2R0KD

IPLA32L2R0KD

기술: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품
IPL65R460CFDAUMA1

IPL65R460CFDAUMA1

기술: MOSFET N-CH 4VSON

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
IPLA32L4R0KD

IPLA32L4R0KD

기술: HIGH CURRENT PLANAR CHOKE INDUCT

제조업체: Electro-Films (EFI) / Vishay
유품

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오