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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6607TR1

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온라인 문의

규격

제품 모델

IRF6607TR1
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRF6607TR1.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2V @ 250µA
Vgs (최대)

±12V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

DIRECTFET™ MT
연속

HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

3.3 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대)

3.6W (Ta), 42W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MT
다른 이름들

SP001530714
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

3 (168 Hours)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6930pF @ 15V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 4.5V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 7V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 27A (Ta), 94A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

27A (Ta), 94A (Tc)

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