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IRF6641TR1PBF 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6641TR1PBF

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온라인 문의

규격

제품 모델

IRF6641TR1PBF
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRF6641TR1PBF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4.9V @ 150µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

DIRECTFET™ MZ
연속

HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
전력 소비 (최대)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

DirectFET™ Isometric MZ
다른 이름들

IRF6641TR1PBFTR
SP001563484
작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2290pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

200V
상세 설명

N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta), 26A (Tc)

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