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2692946IRF6710S2TR1PBF 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6710S2TR1PBF

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  • 제품 모델
    IRF6710S2TR1PBF
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IRF6710S2TR1PBF.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    2.4V @ 25µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    DIRECTFET S1
  • 연속
    HEXFET®
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    5.9 mOhm @ 12A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    1.8W (Ta), 15W (Tc)
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    DirectFET™ Isometric S1
  • 다른 이름들
    IRF6710S2TR1PBFTR
    SP001530274
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    1190pF @ 13V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    13nC @ 4.5V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    4.5V, 10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    25V
  • 상세 설명
    N-Channel 25V 12A (Ta), 37A (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
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기술: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
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IRF6708S2TR1PBF

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제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
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IRF6711STR1PBF

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기술: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

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유품
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기술: MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV

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기술: MOSFET N-CH 25V 22A DIRECTFET-SQ

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRF6710S2TRPBF

IRF6710S2TRPBF

기술: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
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기술: MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET

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기술: MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ

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기술: MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET

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기술: MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

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IRF6702M2DTRPBF

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