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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF9Z34NSTRR

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유품

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규격

제품 모델

IRF9Z34NSTRR
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
무연 여부 / RoHS 준수 여부

납 함유 / RoHS 비 준수
사양서

IRF9Z34NSTRR.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

4V @ 250µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

D2PAK
연속

HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

100 mOhm @ 10A, 10V
전력 소비 (최대)

3.8W (Ta), 68W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Contains lead / RoHS non-compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V
FET 유형

P-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

55V
상세 설명

P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

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기술: MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB

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기술: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

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기술: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

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