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IRFB41N15DPBF 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFB41N15DPBF

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온라인 문의

규격

제품 모델

IRFB41N15DPBF
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRFB41N15DPBF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

5.5V @ 250µA
Vgs (최대)

±30V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

TO-220AB
연속

HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

45 mOhm @ 25A, 10V
전력 소비 (최대)

200W (Tc)
포장

Tube
패키지 / 케이스

TO-220-3
다른 이름들

*IRFB41N15DPBF
SP001575564
작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형

Through Hole
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2520pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

150V
상세 설명

N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

41A (Tc)

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기술: MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRFB38N20DPBF

기술: MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)

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기술: MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB

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기술: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

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