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IRFH8330TRPBF 이미지

International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFH8330TRPBF

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유품

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규격

제품 모델

IRFH8330TRPBF
제조업체 / 브랜드

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
재고 수량

유품
기술

MOSFET N-CH 30V 56A 5X6 PQFN
무연 여부 / RoHS 준수 여부

무연 / RoHS 준수
사양서

IRFH8330TRPBF.pdf
아이디 @ VGS (일) (최대)

2.35V @ 25µA
Vgs (최대)

±20V
과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)
제조업체 장치 패키지

PQFN (5x6)
연속

HEXFET®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)

6.6 mOhm @ 20A, 10V
전력 소비 (최대)

3.3W (Ta), 35W (Tc)
포장

Tape & Reel (TR)
패키지 / 케이스

8-PowerTDFN
다른 이름들

IRFH8330TRPBFTR
SP001566818
작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형

Surface Mount
수분 민감도 (MSL)

1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부

Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 25V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V
FET 유형

N-Channel
FET 특징

-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V
소스 전압에 드레인 (Vdss)

30V
상세 설명

N-Channel 30V 17A (Ta), 56A (Tc) 3.3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Ta), 56A (Tc)

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