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IRG8CH97K10F

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유품
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규격
  • 제품 모델
    IRG8CH97K10F
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IGBT 1200V 100A DIE
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    IRG8CH97K10F.pdf
  • 전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)
    1200V
  • VGE, IC에서 @ (에) VCE (최대)
    2V @ 15V, 100A
  • 시험 조건
    600V, 100A, 1 Ohm, 15V
  • Td (온 / 오프) @ 25 ° C
    100ns/230ns
  • 에너지 전환
    -
  • 제조업체 장치 패키지
    Die
  • 연속
    -
  • 포장
    Bulk
  • 패키지 / 케이스
    Die
  • 다른 이름들
    SP001547962
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 제조업체 표준 리드 타임
    16 Weeks
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • 게이트 충전
    600nC
  • 상세 설명
    IGBT 1200V Surface Mount Die

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유품
RFQ
IRG8P40N120KD-EPBF

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기술: IGBT 1200V 60A 305W TO-247AD

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRG8CH29K10F

IRG8CH29K10F

기술: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRG8P45N65UD1PBF

IRG8P45N65UD1PBF

기술: G8 650V 45A CO-PAK-247

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRG8CH42K10F

IRG8CH42K10F

기술: IGBT 1200V 40A DIE

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRG8P25N120KD-EPBF

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기술: IGBT 1200V 40A 180W TO-247AD

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유품
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IRG8CH37K10F

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기술: IGBT 1200V 100A DIE

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기술: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE

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유품
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IRG8P15N120KDPBF

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기술: IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
IRG8P08N120KD-EPBF

IRG8P08N120KD-EPBF

기술: IGBT 1200V 15A 89W TO-247AD

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유품
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IRG8CH29K10D

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기술: IGBT 1200V 40A 180W TO-247AC

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IRG8P45N65UD1-EPBF

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기술: G8 650V 45A CO-PAK-247

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IRG8CH184K10F

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기술: IGBT CHIP WAFER

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