Electronica 2024의 방문자

지금 시간을 예약하세요!

당신의 장소를 예약하고 부스 티켓을 받기 위해 몇 번의 클릭만으로도 걸립니다.

홀 C5 부스 220

사전 등록

Electronica 2024의 방문자
당신은 모두 가입합니다! 약속을 잡아 주셔서 감사합니다!
예약을 확인하면 부스 티켓을 이메일로 보내드립니다.
집 > 제품 센터 > 이산 반도체 제품 > 트랜지스터-fet, 모스 펫-싱글 > SPD07N60C3T
RFQs/주문 (0)
한국의
한국의
1759693SPD07N60C3T 이미지International Rectifier (Infineon Technologies)

SPD07N60C3T

온라인 가격 조회

연락처 정보와 함께 필요한 모든 필드를 작성하십시오. "RFQ 제출"클릭 이메일로 알려 드리겠습니다.또는 이메일을 보내주십시오.info@ftcelectronics.com
온라인 문의
규격
  • 제품 모델
    SPD07N60C3T
  • 제조업체 / 브랜드
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    SPD07N60C3T.pdf
  • 아이디 @ VGS (일) (최대)
    3.9V @ 350µA
  • Vgs (최대)
    ±20V
  • 과학 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 제조업체 장치 패키지
    PG-TO252-3
  • 연속
    CoolMOS™
  • 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대)
    600 mOhm @ 4.6A, 10V
  • 전력 소비 (최대)
    83W (Tc)
  • 포장
    Cut Tape (CT)
  • 패키지 / 케이스
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 다른 이름들
    SPD07N60C3XTINCT
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
    790pF @ 25V
  • 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • FET 유형
    N-Channel
  • FET 특징
    -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)
    10V
  • 소스 전압에 드레인 (Vdss)
    650V
  • 상세 설명
    N-Channel 650V 7.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
    7.3A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024년10월24일

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024년10월10일
배송
지불
다음은 "SPD07N60C3T"관련 제품입니다.
SPD06N60C3BTMA1

SPD06N60C3BTMA1

기술: MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD07N60C3BTMA1

SPD07N60C3BTMA1

기술: MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD06N80C3BTMA1

SPD06N80C3BTMA1

기술: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD07N20GBTMA1

SPD07N20GBTMA1

기술: MOSFET N-CH 200V 7A TO252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD08-050-L-RB-TR

SPD08-050-L-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD08-020-RB-TR

SPD08-020-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 20POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD07N60C3ATMA1

SPD07N60C3ATMA1

기술: LOW POWER_LEGACY

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD08-020-L-RB-TR

SPD08-020-L-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 20POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD08-040-RA-TR

SPD08-040-RA-TR

기술: 3M HIGH-SPEED CARD-EDGE CONNECTO

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD07N60S5

SPD07N60S5

기술: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD07N20

SPD07N20

기술: MOSFET N-CH 200V 7A TO-252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD05601B

SPD05601B

기술: 5 VDC POWER SUPPLY 60W

제조업체: Carlo Gavazzi
유품
RFQ
SPD08-040-RB-TR

SPD08-040-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 40POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD07N60C3

SPD07N60C3

기술: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD08-060-L-RB-TR

SPD08-060-L-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 60POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD07N60S5T

SPD07N60S5T

기술: MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD06N60C3ATMA1

SPD06N60C3ATMA1

기술: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD06N80C3ATMA1

SPD06N80C3ATMA1

기술: MOSFET N-CH 800V 6A 3TO252

제조업체: International Rectifier (Infineon Technologies)
유품
RFQ
SPD08-040-L-RB-TR

SPD08-040-L-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 40POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
SPD08-050-RB-TR

SPD08-050-RB-TR

기술: CONN EDGE DUAL FMALE 50POS 0.031

제조업체: 3M
유품
RFQ
우리는 유일한 공개 오픈 마켓 유통 업체로서 글로벌 액세스, 제조 업계 전문 지식 및 입증 된 품질의 고유 한 조합을 보유하고 있습니다.이를 통해 전자 부품 소싱 및 인벤토리 관리를위한 맞춤형 엔드 투 엔드 공급망 솔루션을 만들 수 있습니다.
팔로우
이용 약관침해 정책조회를 요청하다우리에 대해문의하기사이트 맵

언어 선택

종료하려면 공간을 클릭하십시오

현재 언어

국가 또는 지역을 선택하십시오.