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HIP6601BECBZ-T

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  • 제품 모델
    HIP6601BECBZ-T
  • 제조업체 / 브랜드
    Intersil (Renesas Electronics Corporation)
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    무연 / RoHS 준수
  • 사양서
    HIP6601BECBZ-T.pdf
  • 전압 - 공급
    10.8 V ~ 13.2 V
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC-EP
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    20ns, 20ns
  • 포장
    Tape & Reel (TR)
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 작동 온도
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • 입력 주파수
    2
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    3 (168 Hours)
  • 논리 전압 - VIL, VIH
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Lead free / RoHS Compliant
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    15V
  • 게이트 유형
    N-Channel MOSFET
  • 구동 구성
    Half-Bridge
  • 상세 설명
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
    -
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Synchronous
  • 기본 부품 번호
    HIP6601B

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HIP6601BECB

기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

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기술: IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC

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HIP6521EVAL1

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기술: EVALUATION BOARD HIP6521

제조업체: Intersil
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HIP6602BCB-T

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기술: IC DRIVER MOSFET QUAD 14-SOIC

제조업체: Intersil
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HIP6601BECBZA-T

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기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

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HIP6602BCB

HIP6602BCB

기술: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC

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HIP6602BCR-T

HIP6602BCR-T

기술: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN

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HIP6601BCBZA-T

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기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC

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HIP6601BECBZ

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기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

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기술: IC DRIVER MOSFET QUAD 14-SOIC

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HIP6602BCBZ-T

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기술: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 14SOIC

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HIP6601BCB

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기술: IC DRIVER MOSFET DUAL 8-SOIC

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HIP6602BCR

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기술: IC DRVR MOSF 2CH SYC BUCK 16-QFN

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HIP6601BECBZA

HIP6601BECBZA

기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8EPSOIC

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HIP6601BCBZ-T

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기술: IC DRVR MOSFET SYNC BUCK 8-SOIC

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HIP6601BCB-T

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HIP6601BCBZA

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HIP6602BCRZ-T

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