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ISL6612AECB

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  • 제품 모델
    ISL6612AECB
  • 제조업체 / 브랜드
  • 재고 수량
    유품
  • 기술
    IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    납 함유 / RoHS 비 준수
  • 사양서
  • 전압 - 공급
    10.8 V ~ 13.2 V
  • 제조업체 장치 패키지
    8-SOIC-EP
  • 연속
    -
  • 상승 / 하강 시간 (일반)
    26ns, 18ns
  • 포장
    Tube
  • 패키지 / 케이스
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 작동 온도
    0°C ~ 125°C (TJ)
  • 입력 주파수
    2
  • 실장 형
    Surface Mount
  • 수분 민감도 (MSL)
    1 (Unlimited)
  • 논리 전압 - VIL, VIH
    -
  • 무연 여부 / RoHS 준수 여부
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • 입력 유형
    Non-Inverting
  • 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩)
    36V
  • 게이트 유형
    N-Channel MOSFET
  • 구동 구성
    Half-Bridge
  • 상세 설명
    Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP
  • 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크)
    1.25A, 2A
  • 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대)
    Synchronous
  • 기본 부품 번호
    ISL6612A
ISL6612AEIB-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612AIR

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612ACR-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612ACBZ-TR5214

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612ACBZR5214

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612ACBZA-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612AIBZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612AECBZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612ACRZ-T

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612ACR

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612AEIB

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612ACBZA-TR5214

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612AEIBZ

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

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ISL6612ACBZAR5214

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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ISL6612ACRZ

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기술: IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

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ISL6612AEIBZ-T

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ISL6612AECB-T

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ISL6612ACBZA

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ISL6612AECBZ

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